机译:通过自组装纳米球光刻技术改善具有大面积高度有序ITO纳米球光子晶体的InGaN发光二极管的光提取
机译:通过自组装纳米球光刻技术改进具有大面积高阶ITO纳米碗光子晶体的InGaN发光二极管的光提取
机译:纳米光刻增强了IngaN发光二极管的光学性能,纳米光刻用SiO_2纳米碗光子晶体
机译:使用纳米球光刻技术改进具有深孔图案的大面积垂直发光二极管的光提取
机译:利用二维光子晶体研究基于InGaN的发光二极管的空气占空比与光提取效率之间的关系
机译:垂直薄膜氮化铟镓发光二极管中的光子晶体提取光。
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:通过自组装纳米球光刻技术改善具有大面积高度有序ITO纳米球光子晶体的InGaN发光二极管的光提取
机译:薄膜2-d光子晶体高性能发光二极管